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资料编号:514620
 
资料名称:NEL2004F02-24
 
文件大小: 89.27K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier
 
 


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nel2004f02-24
电的 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
参数
标识
指定 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 发射级 截止 I
CES
V
CE
= 24 v 3 毫安
电流
集电级 至 发射级 电压
V
CER
I
C
= 3 毫安, r = 10
30 85 V
(根基 至 发射级 registor = 10
)
集电级 至 发射级 电压
V
CEO
I
C
= 3 毫安 18 22 V
(打开 根基)
集电级 至 根基 电压 V
CBO
I
C
= 3 毫安 45 85 V
(打开 发射级)
发射级 至 根基 电压 V
EBO
I
C
= 8 毫安 3 4.4 V
(打开 集电级)
直流 向前 电流 增益 h
FE
V
CE
= 5 v, i
C
= 0.3 一个 30 100 150
输出 电容 C
ob
V
CE
= 24 v, f = 1 mhz 6.2 pF
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