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资料编号:514620
资料名称:
NEL2004F02-24
文件大小: 89.27K
说明
:
介绍
:
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier
: 点此下载
1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
nel2004f02-24
电的 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
参数
标识
指定 情况
最小值
典型值
最大值
单位
集电级 至 发射级 截止
I
CES
V
CE
= 24 v
3
毫安
电流
集电级 至 发射级 电压
V
CER
I
C
= 3 毫安, r = 10
Ω
30
85
V
(根基 至 发射级 registor = 10
Ω
)
集电级 至 发射级 电压
V
CEO
I
C
= 3 毫安
18
22
V
(打开 根基)
集电级 至 根基 电压
V
CBO
I
C
= 3 毫安
45
85
V
(打开 发射级)
发射级 至 根基 电压
V
EBO
I
C
= 8 毫安
3
4.4
V
(打开 集电级)
直流 向前 电流 增益
h
FE
V
CE
= 5 v, i
C
= 0.3 一个
30
100
150
输出 电容
C
ob
V
CE
= 24 v, f = 1 mhz
6.2
pF
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