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资料编号:514650
 
资料名称:NESG2021M05
 
文件大小: 729.7K
   
说明
 
介绍:
NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
 
 


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便条:
1. 运作 在 excess 的 任何 一个 的 这些 参数 将 结果
在 永久的 损坏.
2. 挂载 在 1.08 cm
2
x 1.0 mm (t) glass 环氧的 pcb.
SYMBOLS 参数 单位 比率
V
CBO
集电级 至 根基 电压 V 13.0
V
CEO
集电级 至 发射级 电压 V 5.0
V
EBO
发射级 至 根基 电压 V 1.5
I
C
集电级 电流 毫安 35
P
T
2
总的 电源 消耗 mW 175
T
J
接合面 温度 °C 150
T
STG
存储 温度 °C -65 至 +150
绝对 最大 比率
1
(t
一个
= 25°c)
SYMBOLS 参数 单位 比率
R
th j-c
接合面 至 情况 阻抗 °c/w TBD
热的 阻抗
NESG2021M05
订货 信息
集电级 至 根基 电压, v
CB
(v)
反转 转移 电容, c
re
(pf)
典型 效能 曲线
(t
一个
= 25°c)
根基 至 发射级 电压, v
(v)
集电级 电流, ic (毫安)
集电级 电流 vs.
根基 至 发射级 电压
反转 转移 电容
vs. 集电级 至 根基 电压
包围的 温度, t
一个
(°c)
总的 电源 消耗, p
tot
(mw)
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
根基 至 发射级 电压, v
(v)
集电级 电流, ic (毫安)
集电级 电流 vs.
根基 至 发射级 电压




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
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
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
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
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
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    
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






    
部分 号码 QUANTITY 供应 表格
nesg2021m05-t1-一个 3 kpcs/卷轴 • 铅 自由
• 管脚 3 (集电级), 管脚 4
(发射级) 面向 这 perforation
一侧 的 这 录音带
8 mm 宽 压印浮凸 taping
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