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n-频道 gaas mesfet
nez1011-2e, nez1414-2e
2w x, ku-带宽 电源 gaas mesfet
1998©
文档 非. p13725ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 九月 1998 n cp(k)
打印 在 日本
数据 薄板
描述
这 nez1011-2e 和 nez1414-2e 是 电源 gaas mesfets 这个 提供 高 增益, 高 效率 和 高
输出 在 x, ku-带宽. 这 内部的 输入 和 输出 相一致 使能 有保证的 效能 至 是 达到 和
仅有的 一个 50
Ω
外部 电路. 至 减少 热的 阻抗 这 设备 有 一个 phs (镀有 热温 下沉) 结构. 这
设备 包含 一个 wsi (tungsten silicide) 门 结构 为 高 可靠性.
特性
• 高 输出 电源 : p
o (1 db)
= +34.0 dbm 典型值
• 高 直线的 增益 : 8.5 db 典型值 (nez1011-2e), 7.5 db 典型值 (nez1414-2e)
• 高 效率 : 30 % 典型值
• 输入 和 输出 内部 matched 为 最佳的 效能
订货 信息
部分 号码 包装
nez1011-2e
nez1414-2e
t-78
Remark
至 顺序 evaluation 样本, 请 联系 your local nec 销售 办公室.
(部分 号码 为 样本 顺序: nez1011-2e, nez1414-2e)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
运作 在 excess 的 任何 一个 的 这些 参数 将 结果 在 永久的 损坏.
参数 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DS
15 V
门 至 源 电压 V
GS
–7 V
流 电流 I
DS
3.0 (nez1011-2e)
2.5 (nez1414-2e)
一个
门 向前 电流 I
GF
+20 毫安
门 反转 电流 I
GR
–20 毫安
总的 电源 消耗 P
T
15 W
频道 温度 T
ch
175 °C
存储 温度 T
stg
–65 至 +175 °C
提醒 请 handle 这个 设备 在 静态的-自由 workstation, 因为 这个 是 一个 静电的 敏感的
设备.
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