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nez1011-2e, nez1414-2e
推荐 运行 限制
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 电压 V
DS
9.0 9.0 9.0 V
增益 压缩 Gcomp 3 dB
频道 温度 T
ch
+130 °C
门 阻抗
便条
R
g
200 1000 1000
Ω
便条
R
g
是 这 序列 阻抗 在 这 门 供应 和 这 场效应晶体管 门.
[nez1011-2e]
电的 特性 (t
一个
= 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
saturated 流 电流 I
DSS
V
DS
= 1.5 v, v
GS
= 0 v 0.7 1.6 2.5 一个
pinch-止 电压 V
p
V
DS
= 2.5 v, i
DS
= 10 毫安 –2.5 –1.3 –0.5 V
门 至 流 损坏 电压
BV
GD
I
GD
= 10 毫安 15 V
热的 阻抗 R
th
频道 至 情况 5.5 7.0 °c/w
直线的 增益 G
L
8.0 8.5 dB
输出 电源 在 1 db 增益 竞赛.
P
o (1 db)
33.0 34.0 dBm
流 电流 在 1 db 增益 竞赛.
I
ds (1 db)
f = 10.7, 11.2, 11.7 ghz
V
DS
= 9.0 v
I
DS
= 0.7 一个 (rf 止)
R
g
= 1 k
Ω
0.8 1.0 一个
电源 增加 效率 在 1 db
增益 压缩 要点
η
增加 (1 db)
30 %
3rd 顺序 交调
扭曲量
IM
3
P
输出
= +27.5 dbm (2 声调) –40 dBc
[nez1414-2e]
电的 特性 (t
一个
= 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
saturated 流 电流 I
DSS
V
DS
= 1.5 v, v
GS
= 0 v 0.7 1.6 3.0 一个
pinch-止 电压 V
p
V
DS
= 2.5 v, i
DS
= 10 毫安 –3.0 –1.3 –0.5 V
门 至 流 损坏 电压
BV
GD
I
GD
= 10 毫安 15 V
热的 阻抗 R
th
频道 至 情况 5.5 7.0 °c/w
直线的 增益 G
L
7.0 7.5 dB
输出 电源 在 1 db 增益 竞赛.
P
o (1 db)
33.0 34.0 dBm
流 电流 在 1 db 增益 竞赛.
I
ds (1 db)
0.8 1.0 一个
电源 增加 效率 在 1 db
增益 压缩 要点
η
增加 (1 db)
f = 14.0 至 14.5 ghz
V
DS
= 9.0 v
I
DS
= 0.7 一个 (rf 止)
R
g
= 1 k
Ω
30 %
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