NIS5101
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4
典型 效能 曲线
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
15
25
30
35
45
10 100
uvlo_r
ext
(k
)
uvlo trip 要点 (v)
1000
20
40
100
50
70
90
10 1000
ovlo_r
ext
(k
)
ovlo trip 要点 (v)
21453
持续的 电流 (一个)
情况 温度 (
°
c)
67
设备 reaching
热的 关闭
0.5 在
2
cu 范围
1 在
2
cu 范围
2 在
2
cu 范围
图示 2. 电流 限制 调整
(为 主要的/mirror 场效应晶体管 电流 比率 explanation,
看 页 11)
0.1
1 10 100 1000
R
ext
_i
限制
(
)
I
限制
(一个)
1
100
超载 −40
°
C
短的 电路 −40
°
C
图示 3. uvlo 调整
图示 4. ovlo 调整, t
J
= 25
C
10
100
30
20
60
80
40
25
45
55
75
85
105
115
35
65
95
turn−off −40
°
C
turn−on −40
°
C
超载 25
°
C
超载 120
°
C
短的 电路 25
°
C
短的 电路 120
°
C
turn−on 25
°
C
turn−on 120
°
C
turn−off 25
°
C
turn−off 120
°
C
turn−off 25
°
C
turn−on 25
°
C
100
50
70
90
10 1000
ovlo_r
ext
(k
)
ovlo trip 要点 (v)
图示 5. ovlo 调整, t
J
= 120
C
100
30
20
60
80
40
turn−off 120
°
C
turn−on 120
°
C
100
50
70
90
10 1000
ovlo_r
ext
(k
)
ovlo trip 要点 (v)
图示 6. ovlo 调整, t
J
= −40
C
100
30
20
60
80
40
turn−on −40
°
C
turn−off −40
°
C
图示 7. 持续的 电流 vs. 情况 温度
(测试 执行 在 一个 翻倍 sided 铜 板, 1 oz)