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NJD2873T4
http://onsemi.com
3
典型 特性
−40
°
C
0.36
0.01 0.1 1 10
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
V
ce(sat)
, collector−emitter
饱和 电压 (v)
100
°
C
25
°
C
ic/ib = 20
25
25
图示 1. 电源 减额
t, 温度 (
°
c)
0
50 75 100 125 150
15
10
T
C
5
20
P
D
, 电源 消耗 (watts)
2.5
0
1.5
1
T
一个
0.5
2
T
C
T
一个
(表面 挂载)
−40
°
C
0
100
1000
0.01 0.1 1 10
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
h
FE
, 直流 电流 增益
100
°
C
25
°
C
图示 2. 直流 电流 增益
V
CE
= 2.0 v
10
−40
°
C
1.1
0.01 0.1 1 10
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
V
是(sat)
, base−emitter 饱和
电压 (v)
100
°
C
25
°
C
ic/ib = 20
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
−40
°
C
1.1
0.01 0.1 1 10
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
V
是(sat)
, base−emitter 饱和
电压 (v)
100
°
C
25
°
C
ic/ib = 20
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.33
0.30
0.27
0.24
0.21
0.18
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
0
图示 3. collector−emitter 饱和 电压
图示 4. base−emitter 饱和 电压 图示 5. base−emitter 饱和 电压

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NJD2873T4 http://onsemi.com 3 典型特性 −40 ° C 0.36 0.01 0.1 1 10 I C , 集电级电流 (放大器) V ce(sat) , collector−emitter 饱和电压 (v) 100 ° C 25 ° C ic/ib = 20 25 25 图示 1. 电源减额 t, 温度 ( ° c) 0 50 75 100 125 150 15 10 T C 5 20 P D , 电源消耗 (watts) 2.5 0 1.5 1 T 一个 0.5 2 T C T 一个 (表面挂载) −40 ° C 0 100 1000 0.01 0.1 1 10 I C , 集电级电流 (放大器) h FE , 直流电流增益 100 ° C 25 ° C 图示 2. 直流电流增益 V CE = 2.0 v 10 −40 ° C 1.1 0.01 0.1 1 10 I C , 集电级电流 (放大器) V 是(sat) , base−emitter 饱和电压 (v) 100 ° C 25 ° C ic/ib = 20 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 −40 ° C 1.1 0.01 0.1 1 10 I C , 集电级电流 (放大器) V 是(sat) , base−emitter 饱和电压 (v) 100 ° C 25 ° C ic/ib = 20 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.33 0.30 0.27 0.24 0.21 0.18 0.15 0.12 0.09 0.06 0.03 0 图示 3. collector−emitter 饱和电压图示 4. base−emitter 饱和电压图示 5. base−emitter 饱和电压

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