函数的 描述
(持续)
写 (写)
这 写 操作指南 是 followed 用 16 位 的 数据 至 是
写 在 这 specificed address 之后 这 last 位 的 数据
是 放 在 这 数据-在 (di) pin CS 必须 是 brought 低 在之前
这 next rising 边缘 的 这 SK clock 这个 下落 边缘 的 CS
initiates 这 自-安排时间 程序编制 cycle 这 做 管脚 indi-
cates 这 READYBUSY 状态 的 这 碎片 如果 CS 是 brought
高 之后 这 t
CS
interval 做
e
logical 0 indicates 那
程序编制 是 安静的 在 progress 做
e
logical 1 indicates
那 这 寄存器 在 这 地址 指定 在 这 操作指南
有 被 写 和 这 数据 模式 指定 在 这 在-
构造 和 这 部分 是 准备好 为 另一 instruction
擦掉 所有 (eral)
这 ERAL 操作指南 将 同时发生地 程序 所有 regis-
ters 在 这 记忆 排列 和 设置 各自 位 至 这 logical ‘‘1’’
state 这 擦掉 所有 循环 是 完全同样的 至 这 擦掉 循环
除了 为 这 不同的 运算-code 作 在 这 擦掉 mode
这 做 管脚 indicates 这 READYBUSY 状态 的 这 碎片 如果
CS 是 brought 高 之后 这 t
CS
interval
写 所有 (wrall)
这 WRALL 操作指南 将 同时发生地 程序 所有 reg-
isters 和 这 数据 模式 指定 在 这 instruction 作 在
这 写 mode 这 做 管脚 indicates 这 READYBUSY
状态 的 这 碎片 如果 CS 是 brought 高 之后 这 t
CS
interval
写 使不能运转 (wds)
至 保护 相反 意外的 数据 distrub 这 WDS instruc-
tion 使不能运转 所有 程序编制 模式 和 应当 follow 所有
程序编制 operations 执行 的 一个 读 操作指南 是
独立 的 两个都 这 WEN 和 WDS instructions
Note
NSC CMOS EEPROMs 做 不 需要 一个 ‘‘ERASE’’ 或者 ‘‘ERASE ALL’’ 运作 较早的 至 这 ‘‘WRITE’’ 和 ‘‘WRITE ALL’’ instructions 这 ‘‘ERASE’’ 和
‘‘ERASE ALL’’ 说明 是 包含 至 维持 兼容性 和 早期 技术 EEPROMs
操作指南 设置 为 这 NM93C06L 和 NM93C46L
操作指南 SB 运算 代号 地址 数据 Comments
读 1 10 A5–A0 读 数据 贮存 在 记忆 在 指定 address
WEN 1 00 11XXXX 使能 所有 程序编制 modes
擦掉 1 11 A5–A0 擦掉 选择 register
写 1 01 A5–A0 D15–D0 写 选择 register
ERAL 1 00 10XXXX Erases 所有 registers
WRALL 1 00 01XXXX D15–D0 写 所有 registers
WDS 1 00 00XXXX 使不能运转 所有 程序编制 modes
Note
地址 位 A5 和 A4 变为 ‘‘Don’t Care’’ 为 这 NM93C06L
操作指南 设置 为 这 NM93C56L 和 NM93C66L
操作指南 SB 运算 代号 地址 数据 Comments
读 1 10 A7–A0 读 数据 贮存 在 记忆 在 指定 address
WEN 1 00 11XXXXXX 使能 所有 程序编制 modes
擦掉 1 11 A7–A0 擦掉 选择 register
写 1 01 A7–A0 D15–D0 写 选择 register
ERAL 1 00 10XXXXXX Erases 所有 registers
WRALL 1 00 01XXXXXX D15–D0 写 所有 registers
WDS 1 00 00XXXXXX 使不能运转 所有 程序编制 modes
Note
地址 位 A7 是 ‘‘Don’t Care’’ 为 这 NM93C56L
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