数据 薄板 u14121ej2v0ds00
8
µ
µµ
µ
pd784214a, 784215a, 784216a, 784217a, 784218a, 784214ay, 784215ay, 784216ay, 784217ay, 784218ay
1. differences among 模型 在
µ
µµ
µ
pd784216a, 784216ay/784218a, 784218ay
SUBSERIES
这 仅有的 区别 among 这
µ
pd784214a, 784215a, 784216a, 784217a, 和 784218a lies 在 这 内部的
记忆 capacity.
这
µ
pd784214ay, 784215ay, 784216ay, 784217ay, 和 784218ay 是 模型 和 这 增加 的 一个 i
2
c 总线
控制 函数.
这
µ
pd78f4216a, 78f4216ay, 78f4218a, 和 78f4218ay 是 提供 和 一个 128 kb/256 kb flash 记忆
instead 的 这 掩饰 只读存储器 的 这 在之上 模型.
这些 differences 是 summarized 在 表格 1-1.
表格 1-1. differences among 模型 在
µ
µµ
µ
pd784216a, 784216ay/784218a, 784218ay subseries
部分 号码
Item
µ
pd784214a,
µ
PD784214AY
µ
pd784215a,
µ
PD784215AY
µ
pd784216a,
µ
PD784216AY
µ
pd784217a,
µ
PD784217AY
µ
pd784218a,
µ
PD784218AY
µ
pd78f4216a,
µ
PD78F4216AY
µ
pd78f4218a,
µ
PD78F4218AY
内部的 只读存储器 96 kb
(掩饰
只读存储器)
128 kb (掩饰 只读存储器) 192 kb
(掩饰
只读存储器)
256 kb
(掩饰
只读存储器)
128 kb
(flash
记忆)
256 kb
(flash
记忆)
内部的 内存 3,584 字节 5,120 字节 8,192 字节 12,800 字节 5,120 字节 12,800
字节
内部的 记忆 大小
切换 寄存器
(ims)
不 提供
提供
便条
只读存储器 纠正 不 提供 提供 不
提供
提供
外部 进入 状态
函数
不 提供 提供 不
提供
提供
供应 电压 V
DD
= 1.8 至 5.5 v V
DD
= 1.9 至 5.5 v
电的
规格
推荐
焊接 情况
谈及 至 这 数据 薄板 为 各自 设备.
exa 管脚 不 提供 提供 不
提供
提供
测试 管脚 提供 不 提供
V
PP
管脚 不 提供 提供
便条
这 内部的 flash 记忆 capacity 和 内部的 内存 capacity 能 是 changed 使用 这 内部的 记忆
大小 切换 寄存器 (ims).
提醒 那里 是 differences 在 噪音 免除 和 噪音 辐射 在 这 flash 记忆 和 掩饰
只读存储器 版本. 当 前-producing 一个 应用 设置 和 这 flash 记忆 版本 和 然后
mass-producing 它 和 这 掩饰 只读存储器 版本, 是 确信 至 conduct sufficient evaluations 在 这
商业的 样本 (不 engineering 样本) 的 这 掩饰 只读存储器 版本.
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