NTD110N02R
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2
电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−to−source 损坏 电压 (便条 3)
(v
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个)
积极的 温度 系数
V
(br)dss
24 28
15
V
mv/
°
C
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v)
(v
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
°
c)
I
DSS
1.5
10
一个
gate−body 泄漏 电流 (v
GS
=
±
20 v, v
DS
= 0 v) I
GSS
±
100 nA
在 特性
(便条 3)
门 门槛 电压 (便条 3)
(v
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个)
负的 门槛 温度 系数
V
gs(th)
1.0 1.5
5.0
2.0
V
mv/
°
C
静态的 drain−to−source on−resistance (便条 3)
(v
GS
= 10 v, i
D
= 110 一个)
(v
GS
= 4.5 v, i
D
= 55 一个)
(v
GS
= 10 v, i
D
= 20 一个)
(v
GS
= 4.5 v, i
D
= 20 一个)
R
ds(在)
4.1
5.5
3.9
5.5
4.6
6.2
m
向前 跨导 (v
DS
= 10 v, i
D
= 15 一个) (便条 3) g
FS
44 Mhos
动态 特性
输入 电容
(v 20 V V 0V
C
iss
2710 3440 pF
输出 电容
(v
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
)
C
oss
1105 1670
转移 电容
f = 1.0mhz)
C
rss
450 640
切换 特性
(便条 4)
turn−on 延迟 时间
t
d(在)
11 22 ns
上升 时间
(v
GS
= 10 v, v
DD
= 10 v,
t
r
39 80
turn−off 延迟 时间
(v
GS
10V,V
DD
10V,
I
D
= 40 一个, r
G
= 3.0
)
t
d(止)
27 40
下降 时间 t
f
21 40
门 承担
(v 45V I 40 一个
Q
T
23.6 28 nC
(v
GS
= 4.5 v, i
D
= 40 一个,
V
DS
= 10 v) (便条 3)
Q
GS
5.1
V
DS
=10 v) (便条3)
Q
DS
11
source−drain 二极管 特性
向前 on−volta
ge (i
S
= 20 一个, v
GS
= 0 v) (便条 3) V
SD
0.82 1.2 V向前On−Voltage (i
S
=20 一个,V
GS
= 0v) (便条3)
(i
S
= 55 一个, v
GS
= 0 v)
V
SD
0.82
0.99
1.2 V
(i
S
55一个, v
GS
0v)
(i
S
= 20 一个, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
°
c)
0.99
0.65
反转 恢复 时间
(i 30 一个 V 0V
t
rr
36.5
ns
(i
S
= 30 一个, v
GS
= 0 v,
dI
S
/dt = 100 一个/
s) (便条 3)
t
一个
30
dI
S
/dt = 100 一个/
s) (便条3)
t
b
25
反转 恢复 贮存 承担 Q
rr
0.048
C
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
s, 职责 循环
≤
2%.
4. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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