NTD110N02R
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3
4.2 v
2.0
1.6
1.2
1.4
1.0
0.8
0.6
10
1000
100,000
010
100
42
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
2
0.02
1086
0.01
0
4
图示 3. on−resistance 相比
gate−to−source 电压
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
175
−50 50250−25 75 125100
042
01510 255.0
6
50
25
150
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 175
°
C
V
GS
= 4.5 v
175
V
GS
= 0 v
I
D
= 55 一个
V
GS
= 10 v
0.03
0.008
0.006
0
0.014
T
J
= 175
°
C
T
J
= 100
°
C
120
0
210
90
30
180
68
0.004
20 1601208040 240
T
J
= 25
°
C
20
100
8
10 v
3.8 v
4.5 v
5 v
6 v
8 v
10,000
I
D
= 110 一个
T
J
= 25
°
C
0.002
0.01
0.012
60 100 220200140 180
V
GS
= 10 v
1.8
150
75
125
T
J
= 25
°
C
4 v
3.6 v
3.4 v
3.2 v
2.6 v
2.8 v
3 v
2.4 v
60
150
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