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资料编号:521701
 
资料名称:NTD20P06LT4G
 
文件大小: 73.1K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK
 
 


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NTD20P06L
http://onsemi.com
5
0.1
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
−V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
−I
D
, 流 电流 (一个)
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
100
1
10 ms
直流
V
GS
= −15 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
0
50
100
150
200
250
300
350
25 50 75 100 125 150
T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
图示 12. 最大 avalanche 活力 相比
开始 接合面 温度
I
D
= −15 一个
eas, 单独的 脉冲波 drain−to−source
avalanche 活力 (mj)
0.01
0.1
1
1E−03 1E−02 1E−01 1E+00 1E+01 1E+02 1E+03
图示 13. 热的 回馈
t, 时间 (s)
R
thja(t)
, 有效的 瞬时 热的 回馈
单独的 脉冲波
0.0175
0.0710 0.2706 0.5776 0.7086
0.0154 f 0.0854 f 0.3074 f 1.7891 f 107.55 f
包围的
normalized 至 r
JA
在 稳步的 状态 (1 在 垫子)
碎片
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