NTD3055−150
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4
V
GS
V
DS
4
10
6
0
12
4
10
320
20100
c, 电容 (pf)
0
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 7. 电容 变化 图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 相比 总的 承担
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
1
100
10
10 100
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (
)
图示 10. 二极管 向前 电压 相比
电流
V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
I
S
, 源 电流 (放大器)
t, 时间 (ns)
560
01 6
0.6 0.920.840.760.68 1
6
2
0
8
10
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (v)
160
240
400
25
2
I
D
= 9 一个
T
J
= 25
°
C
Q
2
Q
1
V
GS
Q
T
V
DS
= 30 v
I
D
= 9 一个
V
GS
= 10 v
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 vV
DS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
2345
80
480
1555
78
8
16
0.1
100
10 100
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
图示 12. 最大 avalanche 活力 相比
开始 接合面 温度
T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
E
作
, 单独的 脉冲波 drain−to−source
avalanche 活力 (mj)
I
D
, 流 电流 (放大器)
25 1251007550
24
8
0
32
V
GS
= 20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
I
D
= 7.75 一个
175150
1
10
1
0.1
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
10 ms
10
s
1 ms
直流
100
s