NTR1P02LT1
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3
1
0.8
0.6
1.4
0.4
0.2
0
1.2
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
−I
D
, 流 电流 (放大器)
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
−I
D
, 流 电流 (放大器)
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特) −I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
T
J
, 接合面 温度 (
°
c) −V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
−I
DSS
, 泄漏 (na)
0.3
0.2
0.1
0
10
0.01
100
1000
0
1.5
3
1
21
0.5
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
0
0.04
0.03
42
0.02
0.01
0
610
图示 3. on−resistance 相比
gate−to−source 电压
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
2.5
−50 50250−25 75 125100
1 2.41.41.2
412816
0
5
0.2 0.50.40.3 0.6 0.7 10.8
150
2
4 1.6 1.8 2 2.2
V
DS
≥
−10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
I
D
= −10 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
I
D
= −0.5 一个
V
GS
= −2.5 v
V
GS
= −3 v
−1.2 v
8 0.9
−1.4 v
−1.6 v
−1.8 v
−2 v
T
J
= 25
°
C
−2.6 v
−2.4 v
−2.2 v
−2.8 v
T
J
= 25
°
C
V
GS
= −2.5 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
1
0.1
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