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NTR1P02LT1
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gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
Q
G
, 总的 门 承担 (nc)
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
R
G
, 门 阻抗 (

)−v
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
−I
S
, 源 电流 (放大器)
t, 时间 (ns)
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图示 7. 电容 变化 图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 相比 总的 承担
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
图示 10. 二极管 向前 电压 相比
电流
25 0 21
1 10 100 1.00e−01 5.00e−013.00e−01 7.00e−01 9.00e−01
500
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V
DS
= −16 v
I
D
= −1.5 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0v
T
J
= 25
°
C
C
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C
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C
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V
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= −16 v
I
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= −1 一个
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
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r
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d(止)
t
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Q
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= 0v
−V
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−V
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NTR1P02LT1 http://onsemi.com 4 gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (伏特) c, 电容 (pf) Q G , 总的门承担 (nc) −V GS , gate−to−source 电压 (伏特) R G , 门阻抗 (  )−v SD , source−to−drain 电压 (伏特) −I S , 源电流 (放大器) t, 时间 (ns) 100 1 6 4 2 0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 15 5000 4500 10 3500 3000 1550 2500 2000 1500 1000 0 5 图示 7. 电容变化图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source 电压相比总的承担图示 9. resistive 切换时间变化相比门阻抗图示 10. 二极管向前电压相比电流 25 0 21 1 10 100 1.00e−01 5.00e−013.00e−01 7.00e−01 9.00e−01 500 10 34 V DS = −16 v I D = −1.5 一个 T J = 25 ° C V GS = 0v T J = 25 ° C C rss C oss C iss V DD = −16 v I D = −1 一个 V GS = 0 v T J = 25 ° C t r t d(止) t d(在) t f Q T Q 2 Q 1 4000 10 20 0 4 8 12 16 20 24 28 V DS = 0v −V GS −V DS

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