NTR1P02T1
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4
C
iss
gate−to−source 或者 drain−to−source
电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
Q
G
, 总的 门 承担 (nc)
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
R
G
, 门 阻抗 (
)v
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
I
S
, 源 电流 (放大器)
t, 时间 (ns)
100
1
6
3
1.5
0
1.001
0.401
0.201
0.101
0.001
10 10
300
1550
250
200
150
100
0
图示 7. 电容 变化
图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 相比 总的 承担
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
图示 10. 二极管 向前 电压 相比
电流
25 0 10.5
1 10 100 2.0e−01 4.0e−013.0e−01 5.0e−01 7.0e−01
50
10
1.5 2
I
D
= −1 一个
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DD
= −15 v
I
D
= −1 一个
V
GS
= −5 v
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
Q
T
Q
2
Q
1
520
C
rss
V
GS
= 0 vV
DS
= 0 v
V
GS
V
DS
0.301
0.801
0.601
0.501
0.701
0.901
6.0e−01
−V
GS
−V
DS
4.5
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