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资料编号:521987
 
资料名称:NTR1P02T1
 
文件大小: 46.65K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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NTR1P02T1
http://onsemi.com
5
包装 维度
sot−23 (to−236)
情况 318−09
公布 aj
焊接 footprint*
mm
英寸
规模 10:1
0.8
0.031
0.9
0.035
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
1
3
2
一个
L
BS
V
G
D
H
C
K
J
DIM
一个
最小值 最大值 最小值 最大值
毫米
0.1102 0.1197 2.80 3.04
英寸
B
0.0472 0.0551 1.20 1.40
C
0.0385 0.0498 0.99 1.26
D
0.0140 0.0200 0.36 0.50
G
0.0670 0.0826 1.70 2.10
H
0.0040 0.0098 0.10 0.25
J
0.0034 0.0070 0.085 0.177
K
0.0180 0.0236 0.45 0.60
L
0.0350 0.0401 0.89 1.02
S
0.0830 0.0984 2.10 2.50
V
0.0177 0.0236 0.45 0.60
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi
y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: inch.
3. maxiumum 含铅的 厚度 包含 含铅的
完成 厚度. 最小 含铅的
厚度 是 这 最小 厚度 的
根基 材料.
4. 318−01, −02, 和 −06 废弃的, 新
标准 318−09.
样式 21:
管脚 1.
2.
3.
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