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资料编号:521994
 
资料名称:NTR4101P
 
文件大小: 56.55K
   
说明
 
介绍:
Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23
 
 


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NTR4101P
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−to−source 损坏 电压 (便条 4)
(v
GS
= 0 v, i
D
= −250
一个)
V
(br)dss
−20 V
零 门 电压 流 电流 (便条 4)
(v
GS
= 0 v, v
DS
= −16 v)
I
DSS
−1.0
一个
gate−to−source 泄漏 电流
(v
GS
=
±
8.0 v, v
DS
= 0 v)
I
GSS
±
100 nA
在 特性
门 门槛 电压 (便条 4)
(v
GS
= v
DS
, i
D
= −250
一个)
V
gs(th)
−0.40 −0.720 −1.5 V
drain−to−source on−resistance
(v
GS
= −4.5 v, i
D
= −1.6 一个)
(v
GS
= −2.5 v, i
D
= −1.3 一个)
(v
GS
= −1.8 v, i
D
= −0.9 一个)
R
ds(在)
70
90
112
85
120
210
m
向前 跨导 (v
DS
= −5.0 v, i
D
= −2.3 一个) g
FS
75 S
charges, capacitances &放大; 门 阻抗
输入 电容
C
iss
675 pF
输出 电容
(v
GS
= 0 v, f = 1 mhz, v
DS
= −10 v)
C
oss
100
反转 转移 电容
(
GS
,,
DS
)
C
rss
75
总的 门 承担 (v
GS
= −4.5 v, v
DS
= −10 v, i
D
= −1.6 一个) Q
g(tot)
7.5 8.5 nC
gate−to−source 门 承担 (v
DS
= −10 v, i
D
= −1.6 一个) Q
GS
1.2 nC
gate−to−drain “miller” 承担 (v
DS
= −10 v, i
D
= −1.6 一个) Q
GD
2.2 nC
门 阻抗 R
G
6.5
切换 特性
(便条 5)
turn−on 延迟 时间
t
d(在)
7.5
ns
上升 时间
(v
GS
= −4.5
v,V
DS
= −10 v,
t
r
12.6
turn−off 延迟 时间
(v
GS
4.5
V,V
DS
10v,
I
D
= −1.6 一个, r
G
= 6.0
)
t
d(止)
30.2
下降 时间 t
f
21.0
drain−source 二极管 特性
向前 二极管 电压
(v
GS
= 0
v,I
S
= −2.4 一个) V
SD
−0.82 −1.2 V
反转 恢复 时间
(v 0 V
t
rr
12.8 15 ns
承担 时间
(v
GS
= 0
v,
dI
SD
/dt = 100 一个/
s, i
S
= −1.6 一个)
t
一个
9.9 ns
释放 时间
dI
SD
/dt= 100一个/
s, i
S
= −1.6一个)
t
b
3.0 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
1008 nC
4. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
5. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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