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资料编号:521994
 
资料名称:NTR4101P
 
文件大小: 56.55K
   
说明
 
介绍:
Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23
 
 


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NTR4101P
http://onsemi.com
5
包装 维度
样式 21:
管脚 1.
2.
3.
D
J
K
L
一个
C
B
S
H
GV
3
1
2
sot−23 (to−236)
情况 318−08
公布 ak
DIM
一个
最小值 最大值 最小值 最大值
毫米
0.1102 0.1197 2.80 3.04
英寸
B
0.0472 0.0551 1.20 1.40
C
0.0350 0.0440 0.89 1.11
D
0.0150 0.0200 0.37 0.50
G
0.0701 0.0807 1.78 2.04
H
0.0005 0.0040 0.013 0.100
J
0.0034 0.0070 0.085 0.177
K
0.0140 0.0285 0.35 0.69
L
0.0350 0.0401 0.89 1.02
S
0.0830 0.1039 2.10 2.64
V
0.0177 0.0236 0.45 0.60
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每
ansi y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: inch.
3. 最大 含铅的 厚度 包含
含铅的 完成 厚度. 最小 含铅的
厚度 是 这 最小 厚度 的
根基 材料.
4. 318−03 和 −07 废弃的, 新
标准 318−08.
mm
英寸
规模 10:1
0.8
0.031
0.9
0.035
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy 和 焊接
详细信息, 请 下载 这 在 半导体 焊接 和
挂载 技巧 涉及 手工的, solderrm/d.
焊接 footprint*
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