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资料编号:521999
 
资料名称:NTS4001NT1G
 
文件大小: 45.63K
   
说明
 
介绍:
Small Signal MOSFET
 
 


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NTS4001N
http://onsemi.com
3
典型 效能 曲线
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
0
0.2
0.1
1.20.4
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
d,
流 电流 (放大器)
0.06
0.02
0
图示 1. on−region 特性
1.2 21.6 2.2
0.1
0.06
0.02
1.4
0
1
图示 2. 转移 特性
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
0.5
0.25
图示 3. on−resistance vs. 流 电流 和
温度
I
d,
流 电流 (放大器)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (
)
I
d,
流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance vs. 流 电流 和
门 电压
−50 0−25 25
1.4
1.2
1
0.8
0
50 125100
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
T
J
= 25
°
C
1.25
T
J
= −55
°
C
T
J
= 125
°
C
75 150
I
D
= 0.01 一个
V
GS
= 10 v
R
ds(在),
DRAIN−TO−SOURCE
阻抗 (normalized)
0.8
25
°
C
2
1.5 v
0.005
0.205
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
vs. 电压
1.75 v
2 v
2.5 v
21.6
V
DS
= 5 v
0.75
V
GS
= 2.75 v
V
GS
= 10 v 至 3 v
0.04
0.08
0.12
0.08
0.04
1.8
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 10 v
T
J
= −55
°
C
T
J
= 25
°
C
1.0
1.8
1.6
030
V
ds,
drain−to−source 电压 (伏特)
10000
10
I
DSS
, 泄漏 (na)
1000
100
10
15
T
J
= 150
°
C
T
J
= 125
°
C
5
V
GS
= 0 v
0.055 0.105 0.155
0.5
0.25
I
d,
流 电流 (放大器)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (
)
1.25
0.005
0.205
0.75
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
°
C
1.0
0.055 0.105 0.155
V
GS
= 4.5 v
0.6
0.4
0.2
20
25
0.18
0.16
0.14
2.25 v
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