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资料编号:522039
资料名称:
NUP4301MR6T1
文件大小: 44.73K
说明
:
介绍
:
Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Four Data Lines
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NUP4301MR6T1
http://onsemi.com
2
热的 特性
典型的
标识
最大值
单位
热的 阻抗 接合面-至-包围的
R
JA
556
°
c/w
含铅的 焊盘 温度
最大 10 秒 持续时间
T
L
260
°
C
接合面 温度
T
J
-40 至 +85
°
C
存储 温度
T
stg
-55 至 +150
°
C
电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出) (各自 二极管)
典型的
标识
最小值
Ty
p
最大值
单位
止 特性
反转 损坏 电压 (i
(br)
= 100
一个)
V
(br)
70
-
-
Vdc
反转 电压 泄漏 电流
(v
R
= 70 vdc)
(v
R
= 25 vdc, t
J
= 150
°
c)
(v
R
= 70 vdc, t
J
= 150
°
c)
I
R
-
-
-
-
-
-
2.5
30
50
模数转换器
电容 (在 i/o 管脚)
(v
R
= 0 v, f = 1.0 mhz)
C
D
-
0.8
1.5
pF
电容 (在 i/o 管脚 和 地面)
(v
R
= 0 v, f = 1.0 mhz)
C
D
-
1.6
3
pF
向前 电压
(i
F
= 1.0 madc)
(i
F
= 10 madc)
(i
F
= 50 madc)
(i
F
= 150 madc)
V
F
-
-
-
-
-
-
-
-
715
855
1000
1250
mV
直流
1.
fr-5 = 1.0
0.75
0.062 在.
2.
alumina = 0.4
0.3
0.024 在. 99.5% alumina.
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