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资料编号:522039
资料名称:
NUP4301MR6T1
文件大小: 44.73K
说明
:
介绍
:
Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Four Data Lines
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NUP4301MR6T1
http://onsemi.com
3
100
0.2
0.4
V
F
, 向前 电压 (伏特)
0.6
0.8
1.0
1.2
10
1.0
0.1
T
一个
= 85
°
C
10
0
V
R
, 反转 电压 (伏特)
1.0
0.1
0.01
0.001
10
20
30
40
50
1.75
0
V
R
, 反转 电压 (伏特)
1.5
1.25
1.0
0.75
C
D
, 二极管 电容 (pf)
2468
I
F
, 向前 电流 (毫安)
图示 1. 向前 电压
图示 2. 泄漏 电流
图示 3. 电容
T
一个
= −40
°
C
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 150
°
C
T
一个
= 125
°
C
T
一个
= 85
°
C
T
一个
= 55
°
C
T
一个
= 25
°
C
I
R
, 反转 电流 (
µ
一个)
曲线 适用 至 各自 cathode
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