首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:52224
 
资料名称:4AK18
 
文件大小: 49.87K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel Power MOS FET Array
 
 


: 点此下载
  浏览型号4AK18的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号4AK18的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号4AK18的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号4AK18的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号4AK18的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号4AK18的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号4AK18的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号4AK18的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4AK18
2
外形
sp-10
2 g
1 s
4
G
6
G
8
G
3
D
5
D
7
D
9
D
s 10
1, 10. 源
2, 4, 6, 8. 门
3, 5, 7, 9. 流
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
绝对 最大 比率
(ta = 25°c) (1 单位)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
60 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
20 V
流 电流 I
D
2.5 一个
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
*
1
10 一个
身体 至 流 二极管 反转 流 电流 I
DR
2.5 一个
频道 消耗 pch (tc = 25
°
c)*
2
28 W
频道 消耗 Pch*
2
4W
频道 温度 Tch 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
注释: 1. PW
10
µ
s, 职责 循环
1%
2. 4 设备 运作
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com