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资料编号:52224
资料名称:
4AK18
文件大小: 49.87K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel Power MOS FET Array
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4AK18
2
外形
sp-10
2 g
1 s
4
G
6
G
8
G
3
D
5
D
7
D
9
D
s 10
1, 10. 源
2, 4, 6, 8. 门
3, 5, 7, 9. 流
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
绝对 最大 比率
(ta = 25°c) (1 单位)
Item
标识
比率
单位
流 至 源 电压
V
DSS
60
V
门 至 源 电压
V
GSS
±
20
V
流 电流
I
D
2.5
一个
流 顶峰 电流
I
d(脉冲波)
*
1
10
一个
身体 至 流 二极管 反转 流 电流
I
DR
2.5
一个
频道 消耗
pch (tc = 25
°
c)*
2
28
W
频道 消耗
Pch*
2
4W
频道 温度
Tch
150
°
C
存储 温度
Tstg
–55 至 +150
°
C
注释:
1.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
2.
4 设备 运作
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