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资料编号:52224
 
资料名称:4AK18
 
文件大小: 49.87K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel Power MOS FET Array
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4AK18
4
6
4
2
0 50 100 150
包围的 温度 ta (°c)
频道 消耗 pch (w)
5
3
1
1257525
情况 : 频道 消耗 的
各自 消逝 是 完全同样的
最大 频道 消耗 曲线
4 设备 运作
3 设备 运作
2 设备 运作
1 设备 运作
30
20
10
0 50 100 150
情况 温度 t
C
(°c)
频道 消耗 pch (w)
1257525
情况 : 频道 消耗
的 各自 消逝 是 完全同样的
最大 频道 消耗 曲线
4 设备 运作
3 设备 运作
2 设备 运作
1 设备 运作
100
10
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
最大 safe 运作 范围
30
3
0.1 0.3 1.0 3 10 30 100
ta = 25°c
10
µ
s
100
µ
s
1 ms
pw = 10 ms (1 shot)
直流 运作
(t
C
= 25°c)
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds (在)
0.3
1.0
典型 输出 特性
6
流 至 源 电压 v
DS
(v)
842 10
流 电流 i
D
(一个)
0
1
2
3
4
0
5
V
GS
= 2 v
脉冲波 测试
10 v
5 v
4 v
3 v
3.5 v
2.5 v
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