关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:52224
资料名称:
4AK18
文件大小: 49.87K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel Power MOS FET Array
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4AK18
4
6
4
2
0
50
100
150
包围的 温度 ta (°c)
频道 消耗 pch (w)
5
3
1
1257525
情况 : 频道 消耗 的
各自 消逝 是 完全同样的
最大 频道 消耗 曲线
4 设备 运作
3 设备 运作
2 设备 运作
1 设备 运作
30
20
10
0
50
100
150
情况 温度 t
C
(°c)
频道 消耗 pch (w)
1257525
情况 : 频道 消耗
的 各自 消逝 是 完全同样的
最大 频道 消耗 曲线
4 设备 运作
3 设备 运作
2 设备 运作
1 设备 运作
100
10
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
最大 safe 运作 范围
30
3
0.1
0.3
1.0
3
10
30
100
ta = 25°c
10
µ
s
100
µ
s
1 ms
pw = 10 ms (1 shot)
直流 运作
(t
C
= 25°c)
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds (在)
0.3
1.0
典型 输出 特性
6
流 至 源 电压 v
DS
(v)
84
2 10
流 电流 i
D
(一个)
0
1
2
3
4
0
5
V
GS
= 2 v
脉冲波 测试
10 v
5 v
4 v
3 v
3.5 v
2.5 v
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com