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手机版
资料编号:52224
资料名称:
4AK18
文件大小: 49.87K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel Power MOS FET Array
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4AK18
5
典型 转移 特性
3
门 至 源 电压 v
GS
(v)
421
05
1
2
3
4
5
0
流 电流 i
D
(一个)
T
C
= 25°c
75°C
V
DS
= 10 v
脉冲波 测试
–25°C
流 至 源 饱和 电压
vs. 门 至 源 电压
6
门 至 源 电压 v
GS
(v)
842
010
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0.4
流 至 源 饱和 电压
V
ds (在)
(v)
脉冲波 测试
I
D
= 1 一个
5 一个
2 一个
2
流 电流 i
D
(一个)
51.00.5
20
0.2
0.5
1.0
2
5
0.2
0.1
0.05
10
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 流 电流
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
ds (在)
(
Ω
)
V
GS
= 4 v
10 v
脉冲波 测试
80
情况 温度 t
C
(°c)
120400
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
–40
0
160
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 温度
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
ds (在)
(
Ω
)
I
D
= 2 一个
脉冲波 测试
V
GS
= 4 v
V
GS
= 10 v
5 一个
1 一个
1 一个, 2 一个
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