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资料编号:52224
资料名称:
4AK18
文件大小: 49.87K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel Power MOS FET Array
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4AK18
6
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
10
5
2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
5
流 电流 i
D
(一个)
2
向前 转移 admittance
yfs
(s)
T
C
= 25°c
V
DS
= 10 v
脉冲波 测试
–25°C
75°C
500
200
100
50
20
10
5
0.2
0.5
2
20
反转 流 电流 i
DR
(一个)
5
1.0
10
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
反转 恢复 时间 t
rr
(ns)
di/dt = 50 一个/
µ
s, ta = 25°c
V
GS
= 0
脉冲波 测试
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
1000
300
100
30
3
1
电容 c (pf)
01020
50
流 至 源 电压 v
DS
(v)
30
10
40
V
GS
= 0
f = 1 mhz
Ciss
Coss
Crss
100
80
60
40
20
02
6
8
门 承担 qg (nc)
4
20
16
12
8
4
动态 输入 特性
流 至 源 电压 v
DS
(v)
门 至 源 电压 v
GS
(v)
10
V
DS
V
GS
V
DD
= 50 v
10 v
25 v
V
DD
= 50 v
25 v
10 v
I
D
= 2 一个
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