rev. 一个
AD8304
–3–
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现. 虽然 这
ad8304 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将 出现 在 设备
subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是 推荐
至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
绝对 最大 比率
*
供应 电压 v
P
–
V
N
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 v
输入 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 毫安
内部的 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270 mw
JA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
°
c/w
最大 接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . 125
°
C
运行 温度 范围 . . . . . . . . . . .
–
40
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . .
–
65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 范围 (焊接 60 秒) . . . . . . . . 300
°
C
*
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的
部分 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
管脚 函数 描述
管脚 非. Mnemonic 函数
1 VNEG optional 负的 供应, v
N
. 这个
管脚 是 通常地 grounded; 为 详细信息 的
用法, 看 产品 部分.
2PWDN 电源-向下 控制 输入. 设备 是
起作用的 当 pwdn 是 带去 低.
3, 5 VSUM 守卫 管脚. 使用 至 shield 这 inpt
电流 线条.
4INPT photodiode 电流 输入. 通常地
连接 至 photodiode anode (这
photo 电流 flows 对着 inpt).
6 VPDB photodiode biaser 输出. 将 是
连接 至 photodiode cathode 至
提供 adaptive 偏差 控制.
7 VREF 电压 涉及 输出 的 2 v
8 VLOG 输出 的 这 logarithmic front-终止
处理器; r
输出
= 5 k
Ω
至 地面.
9 BFIN 缓存区 放大器 同相 输入
(高 阻抗)
10 VPS2 积极的 供应, v
P
(3.0 v 至 5.5 v)
11 VOUT 缓存区 输出; 低 阻抗
12 VPS1 积极的 供应, v
P
(3.0 v 至 5.5 v)
13 BFNG 缓存区 放大器 反相的 输入
14 ACOM 相似物 地面
管脚 配置
顶 视图
(不 至 规模)
AD8304
VNEG
PWDN
VSUM
INPT
VSUM
VPDB
VREF
ACOM
BFNG
VPS1
VOUT
VPS2
BFIN
VLOG
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
订货 手册
模型 温度 范围 包装 描述 包装 选项
AD8304ARU
–
40
°
c 至 +85
°
CTube, 14-含铅的 tssop ru-14
ad8304aru-卷轴 13" 录音带 和 卷轴
ad8304aru-reel7 7" 录音带 和 卷轴
ad8304-eval evaluation 板
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