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资料编号:527775
资料名称:
P2504BDG
文件大小: 132.25K
说明
:
介绍
:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ( Preliminary )
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
JAN
-
17
-
2005
N
-
频道 逻辑 水平的 增强
模式 地方 effec
t 晶体管 ( 初步的 )
P2
5
04BD
G
至
-
252 (dpak)
含铅的
-
自由
NIKO
-
SEM
绝对 最大 比率 (t
C
= 25 °c 除非 否则 指出)
参数/测试 情况
标识
限制
单位
流
-
源 电压
V
D
S
40
V
门
-
源 电压
V
GS
±20
V
T
C
= 25
°
C
12
持续的 流 电流
T
C
= 100
°
C
I
D
10
搏动 流 cu
rrent
1
I
DM
45
一个
T
C
= 25 °c
41
电源 消耗
T
C
= 100 °c
P
D
32
W
运行 接合面 &放大; 存储 温度 范围
T
j
, t
stg
-
55 至 150
含铅的 温度 (
1
/
16
” 从 情况 为 10 秒.)
T
L
275
°C
热的 阻抗 比率
热的 阻抗
标识
TY
PICAL
最大
单位
接合面
-
至
-
情况
R
θ
J
c
3
°
c / w
接合面
-
至
-
包围的
R
θ
JA
75
°
c / w
1
脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
2
职责 循环
≤
1
电的 特性 (t
C
= 25 °c, 除非 否则 指出)
限制
参数
标识
测试 conditi
ONS
最小值
典型值
最大值
单位
静态的
流
-
源 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
= 0v, i
D
= 250
µ
一个
40
门 门槛 电压
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
1
2.0
3.0
V
门
-
身体 泄漏
I
GSS
V
DS
= 0v, v
GS
=
±
20V
±
250
nA
V
DS
= 32v, v
GS
= 0v
1
零 门 电压 流 c
urrent
I
DSS
V
DS
= 30v, v
GS
= 0v, t
C
= 125 °c
10
µ
一个
在
-
状态 流 电流
1
I
d(在)
V
DS
= 10v, v
GS
= 10v
45
一个
V
GS
= 4.5v, i
D
=
10
一个
35
45
流
-
源 在
-
状态 阻抗
1
R
ds(在)
V
GS
= 10v, i
D
= 1
2
一个
21
25
m
1. 门
2. 流
3. 源
产品 summary
V
(br)dss
R
ds(在)
I
D
40V
25
m
12
一个
G
D
S
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