STP3NB60
STP3NB60FP
N - 频道 增强 模式
PowerMESH
场效应晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 3.3
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
100% AVALANCHE 测试
■
非常 低 INTRINSIC CAPACITANCES
■
门 承担 使减少到最低限度
描述
使用 这 最新的 高 电压 MESH OVERLAY
处理, sgs-thomson 有 设计 一个
先进的 家族 的 电源 MOSFETs 和
outstanding performances. 这 新 专利权
pending strip 布局 结合 和 这 Company’s
专卖的 边缘 末端 结构, 给 这
最低 rds(在) 每 范围, exceptional avalanche
和 dv/dt 能力 和 unrivalled 门 承担
和 切换 特性.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
转变 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流 转换器 为 WELDING
设备 和 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 和 发动机 驱动
内部的 图式 图解
March 1998
至-220 至-220fp
1
2
3
1
2
3
绝对 最大 比率
标识 Parameter 值 Unit
STP3NB60 STP3NB60FP
V
DS
流-源 Voltage (v
GS
=0) 600 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
600 V
V
GS
Gate-源 电压
±
30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=25
o
c3.32.2a
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=100
o
c2.11.4a
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 13.2 13.2 一个
P
tot
Total 消耗 在 T
c
=25
o
C8035W
减额 Fact或者 0.64 0.28 w/
o
C
dv/dt(
1
) 顶峰 二极管 Recovery voltage 斜度 4.5 4.5 v/ns
V
ISO
Insulation 承受 Voltage (直流)
2000 V
T
stg
存储 Temperature -65 至 150
o
C
T
j
最大值 O每ating 接合面 Temperature 150
o
C
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP3NB60
STP3NB60FP
600 V
600 V
<3.6
Ω
<3.6
Ω
3.3 一个
2.2 一个
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