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资料编号:536097
 
资料名称:TLP733
 
文件大小: 171.45K
   
说明
 
介绍:
GaAs Ired&Photo−Transistor
 
 


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tlp733,tlp734
2002-09-25
2
电流 转移 比率
电流 转移
比率 (%)
(i
C
/ i
F
)
I
F
= 5ma, v
CE
= 5v, ta = 25°c
类型
Classi

fication
*1
最小值 最大值
标记 的 分类
(毫无) 50 600 blank, y, y
, g, g
, b, b
, gb
50 150 y, y
分级 gr 100 300 g, g
200 600 b, b
TLP733
TLP734
分级 gb 100 600 g, g
, b, b
, gb
*1: ex. 分级 gb: tlp733 (gb)
便条: 应用 类型 名字 为 certification 测试, 请 使用 标准 产品 类型 名字, i.e.
tlp733 (gb): tlp733
最大 比率
(ta = 25°c)
典型的 标识 比率 单位
向前 电流 I
F
60 毫安
向前 电流 减额 (ta
39°c)
I
F
/ °c
0.7 毫安 / °c
顶峰 向前 电流 (100 µs 脉冲波, 100 pps) I
FP
1 一个
反转 电压 V
R
5 v
LED
接合面 温度 T
j
125 °c
集电级
发射级 电压 V
CEO
55 v
集电级
根基 电压 (tlp733) V
CBO
80 v
发射级
集电级 电压 V
ECO
7 v
发射级
根基 电压 (tlp733) V
EBO
7 v
集电级 电流 I
C
50 毫安
电源 消耗 P
C
150 mw
电源 消耗 减额 (ta
25°c)
P
C
/ °c
1.5 mw / °c
探测器
接合面 温度 T
j
125 °c
存储 温度 范围 T
stg
55~125 °c
运行 温度 范围 T
opr
40~100 °c
含铅的 焊接 温度 (10 s) T
sol
260 °c
总的 包装 电源 消耗 P
T
250 mw
总的 包装 电源 消耗 减额 (ta
25°c)
P
T
/ °c
2.5 mw / °c
分开 电压 (交流, 1 最小值., r.h.
60%) BV
S
4000 v
rms
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