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资料编号:536097
 
资料名称:TLP733
 
文件大小: 171.45K
   
说明
 
介绍:
GaAs Ired&Photo−Transistor
 
 


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tlp733,tlp734
2002-09-25
6
V
F
/
TaI
F
向前 电流 I
F
(毫安)
向前 电压 温度 系数
V
F
/
ta (mv / °c)
0.8
0.1
2.8
50
2.4
2.0
1.6
1.2
3 100.3 1
0.4
30
包围的 温度 ta (°c)
I
F
– ta
容许的 向前 电流
I
F
(毫安)
0 20
40 60 120
60
40
20
100
0
20
80
80 100
P
C
– ta
包围的 温度 ta (°c)
容许的 集电级 电源 消耗 P
C
(mw)
0 20
60 100 120
120
80
40
200
0
20 40 80
160
I
FP
– v
FP
脉冲波 向前 电压 V
F
(v)
脉冲波 向前 电流 I
FP
(毫安)
1000
1
0.4
3
10
5
2.0 2.41.2 1.60.8
30
100
50
300
500
2.8
脉冲波 宽度
10 µs
Repetitive
频率 = 100 hz
Ta=25°C
I
FP
– d
R
职责 循环 比率 d
R
脉冲波 向前 电流 I
FP
(毫安)
10
3000
3
300
1000
500
3 10
0
30
100
50
3 10
1
3 10
2
10
3
脉冲波 宽度
100 µs
Ta=25°C
I
F
– v
F
向前 电压 v
F
(v)
向前 电流 i
F
(毫安)
100
0.1
1.0
50
10
5
3
1.2 1.4 1.6 1.8
30
1
0.5
0.3
0.6 0.8
ta = 25°c
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