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资料编号:536098
 
资料名称:TLP734
 
文件大小: 171.45K
   
说明
 
介绍:
GaAs Ired&Photo−Transistor
 
 


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tlp733,tlp734
2002-09-25
4
结合 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
50 — 600
电流 转移 比率 I
C
/ i
F
I
F
= 5 毫安, v
CE
= 5 v
分级 gb
100 — 600
%
— 60 —
saturated ctr I
C
/ i
f (sat)
I
F
= 1 毫安, v
CE
= 0.4 v
分级 gb
30 — —
%
根基 photo
电流 i
I
F
= 5 毫安, v
CB
= 5 v 10 %
I
C
= 2.4 毫安, i
F
= 8 毫安 0.4
— 0.2 —
集电级
发射级 饱和
电压
V
ce (sat)
I
C
= 0.2 毫安, i
F
= 1 毫安
分级 gb
— — 0.4
V
分开 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电容 (输入 至 输出) C
S
V
S
= 0, f = 1 mhz 0.8 pF
分开 阻抗 R
S
V
S
= 500 v, r.h.
60% 1×10
12
10
14
交流, 1 分钟 4000
交流, 1 第二, 在 oil 10000
电压有效值
分开 电压 BV
S
直流, 1 分钟, 在 oil 10000 Vdc
切换 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
上升 时间 t
r
— 2 —
下降 时间 t
f
— 3 —
转变
在 时间 t
— 3 10
转变
止 时间 t
V
CC
= 10 v, i
C
= 2 毫安
R
L
= 100
— 3 10
µs
转变
在 时间 t
— 3 —
存储 时间 t
S
— 40 —
转变
止 时间 t
R
L
= 1.9 k
(图.1)
R
= 打开
V
CC
= 5 v, i
F
= 16 毫安
— 90 —
µs
转变
在 时间 t
— 3 —
存储 时间 t
S
— 30 —
转变
止 时间 t
R
L
= 1.9 k
(图.1)
R
= 220 k
(tlp733)
V
CC
= 5 v, i
F
= 16 毫安
— 60 —
µs
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