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资料编号:536313
 
资料名称:TLP747GF
 
文件大小: 105.3K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Thyristor
 
 


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1
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2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TLP747GF
2002-09-25
1
toshiba photocoupler gaas ired &放大; photo
Thyristor
TLP747GF
办公室 机器
切换 电源 供应
这 toshiba tlp747gf 组成 的 一个 photo
thyristor optically 结合
至 一个 镓 砷化物 infrared 发出 二极管 在 一个 六 含铅的 塑料 插件.
所有 参数 是 测试 至 这 规格 的 tlp747g.
(两个都 情况 和 限制)

顶峰 止
状态 电压: 400v 最小值

1
5ma 最大值

状态 电流:
1
50ma 最大值

ul 公认的: ul
1
577, 文件 非. e67349

bsi 批准: bs en60065:
1
994
certificate 非. 7364
bs en60950:
1
992
certificate 非. 7365

semko 批准: ss4330784, certificate 非. 9325
1
63
非. 9522
1
42

分开 电压: 4000vrms 最小值

选项 (d4) 类型
vde 批准: din vde0884 / 06.92,
certificate 非.74286, 9
1
808
最大 运行 绝缘 电压: 890,
11
30V
PK
最高的 容许的 在 电压: 6000, 8000v
PK
(便条) 当 一个 vde0884 批准 类型 是 需要,
请 designate 这 “ 选项 (d4) ”

creepage 距离: 8.0mm (最小值.)
clearance: 8.0mm (最小值.)
内部的 creepage path: 4.0mm (最小值.)
绝缘 厚度: 0.5mm (最小值.)

conforming 安全 standards:
din 57 804. vde0804 /
1
.83
din iec65 / vde0860 / 8.8
1
din iec380 / vde0806 / 8.8
1
din iec435 / vde0805 / draft 十一月 84
din iec60
1
T
1
/ vde0750t
1
/ 5.82
bs7002:
1
989 (en60950)
管脚 配置 (顶 视图)
1 : anode
2 : cathode
3 : nc
4 : cathode
5 : anode
6 : 门
5
6
4
2
1
3
单位 在 mm
toshiba 11
7A802
重量: 0.42 g
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