2004 将 13 4
飞利浦 半导体 产品 规格
100 v, 1 一个
pnp 低 v
cesat (biss)
晶体管
PBSS9110T
热的 特性
注释
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板, 单独的-sided 铜, tin-plated 和 标准 footprint.
2. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板, 单独的-sided 铜, tin-plated 和 1 cm
2
集电级 挂载 垫子.
标识 参数 情况 值 单位
R
th(j-一个)
热的 阻抗 从 接合面 至
包围的
在 自由 空气; 便条 1 417 k/w
在 自由 空气; 便条 2 260 k/w
001aaa814
10
1
10
2
10
3
Z
th
(k/w)
10
−
1
10
−
5
1010
−
2
10
−
4
10
2
10
−
1
t
p
(s)
10
−
3
10
3
1
(10)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(9)
(8)
(7)
图.3 瞬时 热的 阻抗 作 一个 函数 的 脉冲波 时间; 典型 值.
(1)
δ
=1.
(2)
δ
= 0.75.
(3)
δ
= 0.5.
(4)
δ
= 0.33.
(5)
δ
= 0.2.
(6)
δ
= 0.1.
(7)
δ
= 0.05.
(8)
δ
= 0.02.
(9)
δ
= 0.01.
(10)
δ
=0.
挂载 在 打印-电路 板; 1 cm
2
集电级 挂载 垫子.