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资料编号:541372
资料名称:
PBSS9110T
文件大小: 107.4K
说明
:
介绍
:
100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2004 将 13
6
飞利浦 半导体
产品 规格
100 v, 1 一个
pnp 低 v
cesat (biss)
晶体管
PBSS9110T
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1.
脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流
V
CB
=
−
80
v; i
E
=0A
−−−
100
nA
V
CB
=
−
80
v; i
E
=
0
一个; t
j
=
150
°
C
−−−
50
µ
一个
I
CES
集电级-发射级 截-止 电流
V
CE
=
−
80
v; v
是
=0A
−−−
100
nA
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流
V
EB
=
−
4
v; i
C
=0A
−−−
100
nA
h
FE
直流 电流 增益
V
CE
=
−
5
v; i
C
=
−
1
毫安
150
−−
V
CE
=
−
5
v; i
C
=
−
250
毫安
150
−−
V
CE
=
−
5
v; i
C
=
−
500
毫安; 便条
1
150
−
450
V
CE
=
−
5
v; i
C
=
−
1
一个; 便条
1
125
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
−
250
毫安; i
B
=
−
25
毫安
−−−
120
mV
I
C
=
−
500
毫安; i
B
=
−
50
毫安
−−−
180
mV
I
C
=
−
1
一个; i
B
=
−
100
毫安; 便条
1
−−−
320
mV
R
CEsat
相等的 在-阻抗
I
C
=
−
1
一个; i
B
=
−
100
毫安; 便条
1
−
170
320
m
Ω
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
−
1
一个; i
B
=
−
100
毫安
−−−
1.1
V
V
BEon
根基-发射级 转变-在 电压
V
CE
=
−
5
v; i
C
=
−
1A
−−−
1V
f
T
转变 频率
V
CE
=
−
10
v; i
C
=
−
50
毫安;
f
=
100
MHz
100
−−
MHz
C
c
集电级 电容
V
CB
=
−
10
v; i
E
=I
e
=0a;
f=1MHz
−−
17
pF
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