2004 将 13 7
飞利浦 半导体 产品 规格
100 v, 1 一个
pnp 低 v
cesat (biss)
晶体管
PBSS9110T
001aaa376
200
400
600
h
FE
0
I
C
(毫安)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
(1)
(2)
(3)
图.5 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
V
CE
=
−
10 v.
(1) T
amb
= 100
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
001aaa377
−
0.4
−
0.8
−
1.2
V
是
(v)
0
I
C
(毫安)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
(1)
(2)
(3)
图.6 根基-发射级 电压 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
V
CE
=
−
10 v.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 100
°
c.
001aaa378
I
C
(毫安)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
−
10
−
1
−
1
V
CEsat
(v)
−
10
−
2
(1)
(2)
(3)
图.7 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
= 10.
(1) T
amb
= 100
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
001aaa380
I
C
(毫安)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
−
10
−
1
−
1
V
CEsat
(v)
−
10
−
2
(1)
(2)
图.8 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
T
amb
=25
°
c.
(1) I
C
/i
B
= 50.
(2) I
C
/i
B
= 20.