slus329b − 六月1998 − 修订 二月 2005
3
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包装 描述
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
地
PKLMT
CAO
ISENSE
MOUT
IAC
VAO
电压有效值
GTDRV
VCC
CT
SS
RSET
VSENSE
ENA
VREF
j, n 和 dw 包装
(顶 视图)
5
4
6
7
8
18
17
16
15
14
ISENSE
CAOUT
n/c
MOUT
IAC
CT
SS
n/c
RSET
VSENSE
3 2 1 20 19
9 10 11 12 13
PKLMT
地
n/c
GTDRV
VCC
VAO
电压有效值
NC
VREF
ENA
q 包装
(顶 视图)
n/c − 非 连接
订货 信息
UVLO UVLO
部分 号码
T
一个
UVLO
转变-在
(v)
UVLO
转变-止
(v)
CDIP−16
(j)
PDIP−16
(n)
SOIC−16
(dw)
PLCC−20
(q)
−55
°
c 至 125
°
C
16 10 − − − −
−55
°
c 至 125
°
C
10.5 10 UC1854BJ − − −
−40
°
c 至 85
°
C
16 10 UC2854AJ UC2854AN UC2854ADW UC2854AQ
−40
°
c 至 85
°
C
10.5 10 UC2854BJ UC2854BN UC2854BDW UC2854BQ
0
°
c 至 70
°
C
16 10 − UC3854AN UC3854ADW −
0
°
c 至 70
°
C
10.5 10 − UC3854BN UC3854BDW −
(1)
这 dw 和 q 包装 是 有 带子系紧 和 卷盘. 增加 tr 后缀 至 设备 类型 (e.g. uc2854adwtr) 至 顺序 数量 的 2,000
设备 每 卷轴 为 这 dw 包装 和 1,000 设备 每 卷轴 为 这 q 包装.
热的 阻抗
packaged 设备
抵制
CDIP−16
(j)
PDIP−16
(n)
SOP−16
(dw)
PLCC−20
(q)
θ
JC
(
°
c/w)
28
(2)
45 27 34
θ
JA
(
°
c/w)
80−120 90
(3)
50−130
(3)
43−75
(3)
(2)
θ
JC
数据 值 陈述 是 获得 从 mil-标准-1835b 这个 states “the baseline 值 显示 是 worst 情况 (意思 +2s) 为 一个 60
×
60
mil 微型电路 设备 硅 消逝 和 适用 为 设备 和 消逝 sizes 向上 至 14,400 正方形的 毫英寸. 为 设备 消逝 sizes 更好 比
14,400 正方形的 毫英寸 使用 这 下列的 值, 双-在-线条, 11
°
c/w; flat 包装 和 管脚 grid 排列, 10
°
c/w.
(3)
θ
JA
(接合面-至-包围的) 应用 至 设备 挂载 至 five 正方形的 inch fr4 pc 板 和 一个 ounce 铜 在哪里 指出. 当
resitance 范围 是 给, 更小的 值 是 为 five 正方形的 inch 铝 pc 板. 测试 pwb 是 0.062 英寸 厚 和 典型地使用
0.635 mm 查出 widths 为 电源 包装 和 1.3 mm 查出 widths 为 非-电源 包装 和 一个 100
×
100 mil 探查 地带 是 在 这
终止 的 各自 查出.
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