1/16march, 7 2003
PD57002
PD57002S
rf 电源 晶体管
这
LdmoST
塑料 家族
n-频道 增强-模式 lateral
MOSFETs
•
极好的 热的 稳固
•
一般 源 配置
•
P
输出
= 2 w 和 15 db 增益 @ 960 mhz / 28 v
•
新 rf 塑料 包装
描述
这 pd57002 是 一个 一般 源 n-频道, en-
hancement-模式 lateral 地方-效应 rf 电源
晶体管 设计 为 broadband 商业的 和
工业的 产品 在 发生率 向上 至 1000
mhz. 这 pd57002 是 设计 为 高 增益 和
broadband 效能 运行 在 一般
源 模式 在 28 v. 它 是 完美的 为 数字的 cellular
bts 产品 需要 高 线性.
这 powerso-10 塑料 包装, 设计 至 的-
fer 高 可靠性, 是 这 第一 st 电子元件工业联合会 批准,
高 电源 smd 包装. 它 有 被 specially
优化 为 rf needs 和 提供 极好的 rf
performances 和 使容易 的 组装.
powerso-10rf
(formed 含铅的)
顺序 代号
PD57002
BRANDING
PD57002
powerso-10rf
(笔直地 含铅的)
顺序 代号
PD57002S
BRANDING
PD57002S
绝对 最大 比率 (t
情况
= 25
°
c)
标识 参数 值 单位
V
(br)dss
流-源 电压 65 V
V
GS
门-源 电压
±
20 V
I
D
流 电流 0.25 一个
P
DISS
电源 消耗 (@ tc = 70
°
c) 4.75 W
Tj 最大值 运行 接合面 温度 165
°
C
T
STG
存储 温度 -65 至 +150
°
C
热的 数据
R
th(j-c)
接合面 -情况 热的 阻抗 20
°
c/w
挂载 recommendations 是 有 在
www.st.com/rf/
(看 为 应用 便条 an1294)
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