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产品 数据 薄板 rev. 03 — 17 12月 2004 6 的 15
飞利浦 半导体
pesd5v0s1ba/bb/bl
低 电容 双向的 静电释放 保护 二极管
T
amb
= 25
°
C
图 3. 顶峰 脉冲波 电源 消耗 作 一个 函数 的
exponential 时间 持续时间 t
p
; 典型 值
图 4. 相关的 变化 的 顶峰 脉冲波 电源 作 一个
函数 的 接合面 温度; 典型 值
T
amb
= 25
°
c; f = 1 mhz
图 5. 二极管 电容 作 一个 函数 的 反转
电压; 典型 值
图 6. 相关的 变化 的 反转 泄漏 电流 作
一个 函数 的 接合面 温度; 典型
值
001aaa202
t
p
(
µ
s)
110
4
10
3
10 10
2
10
2
10
3
P
pp
(w)
10
T
j
(
°
c)
0 20015050 100
001aaa193
0.4
0.8
1.2
P
pp
0
P
pp(25˚c)
V
R
(v)
054231
001aaa203
30
26
34
38
C
d
(pf)
22
001aaa204
T
j
(
°
c)
75 150125100
10
1
10
2
10
−
1
I
rm(t
j
)
I
rm(t
j
=85
°
c)
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