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资料编号:545855
 
资料名称:PF08127B
 
文件大小: 183.44K
   
说明
 
介绍:
MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
PF08127B
rev.0, oct. 2002, 页 3 的 14
电的 特性 为 e-gsm 带宽
(tc = 25
°
c)
f = 880 至 915 mhz, vdd1 = vdd2 = 3.5 v, 管脚 = 0 dbm, vctl = 2.0 v, rg = rl = 50
, tc = 25
°
c,
脉冲波 运作 和 脉冲波 宽度 1154
µ
s 和 职责 循环 2:8 将要 是 使用.
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
频率 范围 f 880
915 MHz
带宽 选择 (gsm 起作用的) Vctl 2.0
2.8 V
输入 电源 管脚 –2 0 2 dBm
控制 电压 范围 Vapc 0.2
2.2 V
供应 电压 Vdd 3.1 3.5 4.5 V
总的 效率
η
T
47 55
%
2nd 调和的 扭曲量 2nd h.d.
−
15(–50) 0(–35) dbm(dbc)
3rd 调和的 扭曲量 3rd h.d.
−
10(–45) 0(–35) dbm(dbc)
4th~8th 调和的 扭曲量 4th~8th h.d.

0(–35) dbm(dbc)
输入 vswr vswr (在)
1.5 3
Pout
GSM
= 35 dbm,
vapc = 控制
输出 电源 (1) pout (1) 35.0 36.0
dBm vapc = 2.2 v
输出 电源 (2) pout (2) 33.5 34.5
dBm vdd = 3.1 v, vapc = 2.2 v,
tc = +85°c
idd 在 低 电源

300 毫安 Pout
GSM
= 7 dbm
分开
−
48
37 dBm vapc = 0.2 v
分开 在
dcs rf-输出
当 gsm 是 起作用的
−
25
18 dBm Pout
GSM
= 35 dbm,
量过的 在 f = 1760 至 1830 mhz
切换 时间 t
r
, t
f
12
µ
s Pout
GSM
= 5 至 35 dbm
稳固
非 parasitic 振动
> –36 dbm
vdd = 3.1 至 4.5 v, pout
35 dbm,
Vapc
GSM
2.2 v, rg = 50
,
输出 vswr = 6 : 1 所有 阶段 angles
加载 vswr 容忍
非 降级
或者
永久的 降级
vdd = 3.1 至 4.5 v, pout
GSM
35 dbm,
Vapc
GSM
2.2 v, rg = 50
, t
20
秒.,
输出 vswr = 10 : 1 所有 阶段 angles
加载 vswr 容忍
在 gprs 类 12
运作
非 降级
或者
永久的 降级
vdd = 3.1 至 4.2 v, pout
GSM
35 dbm,
Vapc
GSM
2.2 v,
rg = 50
, t
20
秒., tc
90°c,
输出 vswr = 10 : 1 所有 阶段 angles
斜度 pout/vapc

160 200 db/v Pout
GSM
= 5 至 35 dbm
am 输出

15 20 % Pout
GSM
= 5 至 35 dbm,
4% am 调制 在 输入
50 khz 调制 频率
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