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资料编号:545861
 
资料名称:PF08103A
 
文件大小: 42.39K
   
说明
 
介绍:
MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
PF08103A
5
电的 特性 为 gsm900 模式
(tc = 25
°
c)
测试 情况 除非 否则 指出:
f = 880 至 915mhz, vdd1 = vdd2 = 4.8v, 管脚 = +4.5dbm, v
CTL
= 2.0v, v
CTL
= 0.3v, rg = rl = 50
,
tc = 25
°
c, 脉冲波 运作 和 脉冲波 宽度 577
µ
s 和 职责 循环 1:8 将要 是 使用.
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
频率 范围 f 880 915 MHz
控制 电压 范围 Vapc 0.2 3.0 V
vapc 控制 电流 Iapc 3 毫安 vapc = 3.0v
总的 效率
η
T
43 48 % Pout
GSM
= 34.5dbm,
2nd 调和的
扭曲量 2nd h.d. –45 –35 dBc vapc = 控制
3rd 调和的 扭曲量 3rd h.d. –45 –35 dBc
4th~8th 调和的 扭曲量 4th~8th h.d. –35 dBc
输入 vswr vswr (在) 2 3
输出 电源 (1) pout (1) 35.0 35.7 dBm vapc = 3.0v
输出 电源 (2) pout (2) 33.0 34.0 dBm vdd = 4.2v, vapc = 3.0v,
tc = +85
°
c, 管脚 = +3dbm
分开 –40 –20 dBm vapc = 0.2 v
分开 在
dcs rf-输出
当 gsm 是 起作用的
–30 –20 dBm Pout
GSM
= 34.5dbm (gsm 模式)
量过的 在 f = 1760 至 1830mhz
切换 时间 tr, tf 1 2
µ
s Pout
GSM
= –15 至 35.0dbm
稳固 非 parasitic 振动
所有 spuriouses < –36 dbm
—V
DD
= 4.2 至 6.3v, pout
35.0dbm,
Vapc
3.0v gsm 脉冲波.
rg = 50
, tc = –20 至 +85
°
c,
输出 vswr = 6 : 1 所有 阶段,
res bw = 3mhz
加载 vswr 容忍 非 降级
或者
永久的 降级
—V
DD
= 4.2 至 6.3v,
Pout
GSM
35.0dbm,
Vapc
3.0v gsm 脉冲波. rg = 50
,
t = 30sec., tc = –20 至 +85
°
c,
输出 vswr = 10 : 1 所有 阶段
噪音 电源 Pnoise1 –73 dBm f0 = 915mhz, frx = f0 +10mhz
Pout
GSM
= 35dbm, res bw = 100khz
Pnoise2 –85 dBm f0 = 915mhz, frx = f0 +20mhz
Pout
GSM
= 35dbm, res bw = 100khz
Pnoise3 –77 dBm frx = 1805 至 1880mhz
Pout
GSM
= 35dbm, res bw = 100khz
斜度 pout/vapc 200 db/v Pout
GSM
= 0 至 35dbm
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