PFM19030
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规格 主题 至 改变 没有注意. u.s. 专利权 非. 6,822,321
rev. 2
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单元 应用 注释
这 pfm19030 是 设计 至 提供 一个 多功能的 低 费用解决方案 为 一个 宽 多样性 的 无线的 产品
需要 30 watt 顶峰 输出 水平. 这个 混合的 单元 包含 二 stages 的 si ldmos 场效应晶体管 放大器:
一个 nominally 5 watt 输入 平台 驱动 一个 30 watt 输出 平台. 这 单元 是 优化 为 效率高的, 直线的 运作
和 边缘 和 cdma 信号. 这 输入 和 输出 的 这个 单元 是 partially matched, 和 需要 源 和 加载
阻抗 的 nominally 19 和 21 ohms (更 高等级的 比 典型地 必需的 用 unmatched si ldmos fets).
这些 源 和 加载 阻抗 能 是 达到和 紧凑的 常规的 外部 pcb 电路系统.
效能 为 particular 信号 protocols 能 是 改进 slightly 用 小 adjustments 在 安静的 电流 和
加载 阻抗 提交 至 这 单元. 这 数据 提交 在 这 previous 页 是 带去 在 一个 设置 的 安静的
电流 和 在 一个 fixture 和 源 和 加载 阻抗 那 是 fixed 为 所有 度量. 这 数据 提交 是
一般地 代表 的 这 效能 – 益处 从 更远 optimization 在 安静的 电流 是 小.
在 增加 至 这 二 rf 增益 stages, 那里 是 sense 场效应晶体管 (thermally 追踪) 设备 那 提供 作 optional 直流 电路
elements. 这 sense fets 是 fabricated 在 这 一样 epi 毫安terial 和 nominally 完全同样的物理的 特性 (但是
小 门 periphery) 作 这 rf 设备. 这 sense 设备能 是 应用 作 温度 补偿 elements 在
conjunction 和 外部 偏差 电路系统.alternatively, 这 二-平台 amplifier 能 是 运作 和 这 sense fets
unused (s1 和 s2 leads floating).
这 根基 的 这 单元 是 高 conductivity 铜 的 40 mil 厚度. 它 是 好 matched 至 典型 pcb 材料, 和
它 serves 作 一个 热温 spreader 为 这 设备 当 挂载 作 一个 表面-挂载 组件. 这 单元 热的
特性 是 量过的 和 这 单位焊接 至 一个 20 mil 厚 pcb 材料 和 一个 排列 的 镀有 通过 孔 为
电的 grounding 和 热的 sinking. ir scans 的 这个 configurati在 demonstrated 最大 消逝 频道
温度 的 142 degrees c 和 一个 pcb 根基 温度 的 +95 degrees c, 和 10 watts cw 输出 电源.
这些 modules 能 是 提供 在 录音带-和-卷轴 配置 为 高 容积 产品.
典型 pcb 挂载 模式
这 单元 外形 是 表明 用 dashed 线条 (0.60 x 1.00 英寸). 这 地面 垫子 是 1.030 x 0.630
英寸. 地面 vias 在 这个 例子 是 28 mil 直径在 35 mil (或者 70 mil) centers. 热的 阻抗 是
均衡的 至 这 厚度 的 这 pc 板 (height 的vias), 和 inversely 均衡的 至 这 总的 地面
孔 排列 periphery (和 厚度 的 镀层 在 这 holes). 这 densely 排列 vias 在 这个 布局 (在 35 mil
spaces) 是 located 在 areas 的 最大 热温 generati在. 这 间隙 在 这 含铅的 焊盘 和 这 地面
垫子 是 25 毫英寸. 便条 那 这 underside 的 这 pcb must 是 连接 至 一个 热的 热温 下沉 和 地面.
这 在之上 孔 模式 是 一个 例子 的 一个 那maximizes 热的 transfer. 那里 是 numerous
alternative approaches. 取决于 在 这 应用 (信号 协议, 热的 环境, etc.), 这
号码 的 通过 孔 能 是 减少. 高 平均 power 产品 需要 这 大多数 extensive 热的
sinking.