9397 750 14557 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2005. 所有 权利 保留.
产品 数据 薄板 rev. 01 — 1 march 2005 7 的 12
飞利浦 半导体
PH955L
n-频道 trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
T
j
=25
°
c; v
DS
=5V
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压
I
D
= 25 一个; v
DD
= 12 V 和 44 V
图 11. 门-源 电压 作 一个 函数 的 门
承担; 典型 值
图 12. 门 承担 波形 definitions
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
V
gs(th)
(v)
最大值
典型值
最小值
03aa36
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0123
V
GS
(v)
I
D
(一个)
最大值典型值最小值
003aaa784
0
2
4
6
8
10
0 20406080
Q
G
(nc)
V
GS
(v)
44 v
V
DD
= 12 v
003aaa508
V
GS
V
gs(th)
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
V
DS
Q
g(tot)
I
D
Q
gs
V
plat
: 点此下载
