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产品 数据 薄板 rev. 01 — 1 march 2005 8 的 12
飞利浦 半导体
PH955L
n-频道 trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
T
j
=25
°
C 和 150
°
c; v
GS
=0V V
GS
= 0 v; f = 1 MHz
图 13. 源 (二极管 向前) 电流 作 一个 函数 的
源-流 (二极管 向前) 电压; 典型
值
图 14. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances
作 一个 函数 的 dr ain-源 电压; 典型
值
003aaa781
0
10
20
30
40
0.2 0.4 0.6 0.8 1
V
SD
(v)
I
S
(一个)
T
j
= 25
°
C
150
°
C
003aaa783
10
2
10
3
10
4
10
-1
1 10 10
2
V
DS
(v)
C
(pf)
C
iss
C
oss
C
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