飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 trenchmos
晶体管 php11n06lt, phb11n06lt
逻辑 水平的 场效应晶体管 PHD11N06LT
图.13. 典型 转变-在 门-承担 特性.
V
GS
= f(q
G
)
图.14. 典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 情况: v
GS
= 0 v; 参数 t
j
图.15. 最大 容许的 非-repetitive
avalanche 电流 (i
作
) 相比 avalanche 时间 (t
AV
);
unclamped inductive 加载
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
012345678910
门 承担, qg (nc)
门-源 电压, vgs (v)
id = 10a
tj = 25 c
vdd = 11 v
vdd = 44 v
0.1
1
10
100
0.001 0.01 0.1 1 10
avalanche 时间, t
AV
(ms)
最大 avalanche 电流, i
作
(一个)
tj 较早的 至 avalanche = 150 c
25 c
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2
源-流 电压, vsds (v)
源-流 二极管 电流, 如果 (一个)
tj = 25 c
175 c
vgs = 0 v
8月 1999 6 rev 1.000
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