飞利浦 半导体
phb/phd101nq03lt
trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 02 — 25 二月 2003 6 的 13
9397 750 10929
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T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 175
°
c; v
DS
>
I
D
xR
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
03ai22
0
20
40
60
80
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
V
DS
(v)
I
D
(一个)
3 v
5 v
T
j
= 25
°
C
V
GS
= 2.8 v
10 v
3.2 v
3.4 v
4.5 v
3.6 v
3.8 v
4 v
03ai24
0
20
40
60
80
01234
V
GS
(v)
I
D
(一个)
V
DS
> i
D
x r
DSon
T
j
= 25
°
C
175
°
C
03ai23
0
4
8
12
16
0 20406080
I
D
(一个)
R
DSon
(m
Ω
)
4.5 v
V
GS
= 3.8 v
T
j
= 25
°
C
5V
10 v
4 v
03af18
0
0.5
1
1.5
2
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
----------------------------
=