飞利浦 半导体 产品 规格
双 n-频道 增强 模式 PHN203
TrenchMOS
TM
晶体管
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 表面 挂载 在 fr4 板, t
≤
10 - 62.5 k/w
至 包围的 秒; 也 或者 两个都 mosfets 组织
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 表面 挂载 在 fr4 板; 也 或者 150 - k/w
至 包围的 两个都 mosfets 组织
avalanche 活力 限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
E
作
非-repetitive avalanche unclamped inductive 加载, i
作
= 6.3 一个; - 20 mJ
活力 (每 场效应晶体管) t
p
= 0.2 ms; t
j
较早的 至 avalanche = 25˚c;
V
DD
≤
15 v; r
GS
= 50
Ω
; v
GS
= 10 v
I
作
非-repetitive avalanche - 6.3 一个
电流 (每 场效应晶体管)
电的 特性
T
j
= 25˚c, 每 场效应晶体管 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 V
GS
= 0 v; i
D
= 10
µ
一个; 25 - - V
电压 T
j
= -55˚c 22.5 - - V
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= 1 毫安 1 2 2.8 V
T
j
= 150˚c 0.4 - - V
T
j
= -55˚c - 3.2 V
R
ds(在)
流-源 在-状态 V
GS
= 10 v; i
D
= 4 一个 - 27 30 m
Ω
阻抗 V
GS
= 4.5 v; i
D
= 2 一个 - 40 55 m
Ω
V
GS
= 10 v; i
D
= 4 一个; t
j
= 150˚c - 43 51 m
Ω
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 20 v; i
D
= 4 一个 5 9.7 - S
I
DSS
零 门 电压 流 V
DS
= 20 v; v
GS
= 0 v; - 60 100 nA
电流 V
DS
= 20 v; v
GS
= 0 v; t
j
= 150˚c - 0.1 10
µ
一个
I
GSS
门 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
= 0 v - 10 100 nA
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 4 一个; v
DD
= 20 v; v
GS
= 10 v - 20 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 1.9 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 6.1 - nC
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 20 v; r
D
= 18
Ω
;-8-ns
t
r
转变-在 上升 时间 V
GS
= 10 v; r
G
= 6
Ω
-11-ns
t
d 止
转变-止 延迟 时间 resistive 加载 - 31 - ns
t
f
转变-止 下降 时间 - 17 - ns
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 流 含铅的 至 centre 的 消逝 - 2.5 - nH
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 至 源 - 5 - nH
bond 垫子
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= 20 v; f = 1 mhz - 611 - pF
C
oss
输出 电容 - 260 - pF
C
rss
反馈 电容 - 137 - pF
january 1999 2 rev 1.000
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