飞利浦 半导体 产品 规格
双 n-频道 增强 模式 PHN203
TrenchMOS
TM
晶体管
反转 二极管 限制的 值 和 特性
T
j
= 25˚c, 每 场效应晶体管 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 二极管 T
一个
= 25 ˚c - - 2.85 一个
电流 (每 场效应晶体管)
I
SM
搏动 源 二极管 电流 - - 25 一个
(每 场效应晶体管)
V
SD
二极管 向前 电压 I
F
= 1.25 一个; v
GS
= 0 v - 0.75 1 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 1.25 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; - 35 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 V
GS
= 0 v; v
R
= 25 v - 24 - nC
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
一个
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
一个
); 情况: v
GS
≥
4.5 v
图.3. safe 运行 范围. t
一个
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗;
Z
th j-一个
= f(t); 参数 d = t
p
/t
normalised 电源 消耗, pd (%)
0
20
40
60
80
100
120
0 25 50 75 100 125 150
包围的 温度, ta (c)
PHN203
0.01
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
流-源 电压, vds (v)
顶峰 搏动 流 电流, idm (一个)
10 s
100 ms
10 ms
rds(在) = vds/ id
1 ms
tp = 10 美国
100 美国
normalised 流 电流, id (%)
0
20
40
60
80
100
120
0 25 50 75 100 125 150
包围的 温度, ta (c)
PHN203
0.01
0.1
1
10
100
1e-06 1e-05 1e-04 1e-03 1e-02 1e-01 1E+00 1E+01
脉冲波 宽度, tp (s)
顶峰 搏动 流 电流, idm (一个)
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
d = tp/t
D
P
T
january 1999 3 rev 1.000
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