1997 六月 20 3
飞利浦 半导体 产品 规格
双 p-频道 增强
模式 mos 晶体管
PHP225
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
注释
1. 脉冲波 宽度 和 职责 循环 限制 用 最大 接合面 温度.
2. 最大 容许的 消耗 每 mos 晶体管. 两个都 设备 将 是 承载 向上 至 2 w 在 这 一样 时间.
3. 最大 容许的 消耗 每 mos 晶体管. 设备 挂载 在 打印-电路 板 和 一个 r
th 一个-tp
(包围的 至 系-要点) 的 27.5 k/w.
4. 最大 容许的 消耗 每 mos 晶体管. 设备 挂载 在 打印-电路 板 和 一个 r
th 一个-tp
(包围的 至 系-要点) 的 90 k/w.
5. 最大 容许的 消耗 如果 仅有的 一个 mos 晶体管 dissipates. 设备 挂载 在 打印-电路 板 和
一个 r
th 一个-tp
(包围的 至 系-要点) 的 90 k/w.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
每 p-频道
V
DS
流-源 电压 (直流)
−−
30 V
V
GSO
门-源 电压 (直流) 打开 流
−±
20 V
I
D
流 电流 (直流) T
s
≤
80
°
C
−−
2.3 一个
I
DM
顶峰 流 电流 便条 1
−−
10 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
=80
°
c; 便条 2
−
2W
T
amb
=25
°
c; 便条 3
−
2W
T
amb
=25
°
c; 便条 4
−
1W
T
amb
=25
°
c; 便条 5
−
1.3 W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
运行 接合面 温度
−
150
°
C
源-流 二极管
I
S
源 电流 (直流) T
s
≤
80
°
C
−−
1.25 一个
I
SM
顶峰 搏动 源 电流 便条 1
−−
5A
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