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1997 六月 20 6
飞利浦 半导体 产品 规格
双 p-频道 增强
模式 mos 晶体管
PHP225
图.4 电容 作 一个 函数 的 流-源
电压; 典型 值.
V
GS
=0.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
600
400
200
0
10 20 30
MBE144
C
(pf)
v       (v)
DS
C
iss
C
oss
C
rss
图.5  输出 特性; 典型 值.
T
j
=25
°
c.
,g
0 2 10 12
10
8
6
2
0
4
MBE154
468
v      (v)
DS
v      =
GS
10 v
7.5 v
6 v
5 v
4.5 v
4 v
3.5 v
3 v
2.5 v
I
D
(一个)
图.6  转移 典型的; 典型 值.
V
DS
=
−
10 v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
024 8
10
8
6
2
0
4
MBE157
6
I
D
(一个)
v       (v)
GS
图.7 门-源 电压 作 一个 函数 的 总的
门 承担.
V
DD
=
−
15 v.
I
D
=
−
2.3 一个.
handbook, halfpage
024 108
10
0
8
MBE145
6
6
4
2
q    (nc)
g
V
GS
(v)

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1997 六月 20 6 飞利浦半导体产品规格双 p-频道增强模式 mos 晶体管 PHP225 图.4 电容作一个函数的流-源电压; 典型值. V GS =0. T j =25 ° c. handbook, halfpage 0 600 400 200 0 10 20 30 MBE144 C (pf) v (v) DS C iss C oss C rss 图.5 输出特性; 典型值. T j =25 ° c. ,g 0 2 10 12 10 8 6 2 0 4 MBE154 468 v (v) DS v = GS 10 v 7.5 v 6 v 5 v 4.5 v 4 v 3.5 v 3 v 2.5 v I D (一个) 图.6 转移典型的; 典型值. V DS = − 10 v. T j =25 ° c. handbook, halfpage 024 8 10 8 6 2 0 4 MBE157 6 I D (一个) v (v) GS 图.7 门-源电压作一个函数的总的门承担. V DD = − 15 v. I D = − 2.3 一个. handbook, halfpage 024 108 10 0 8 MBE145 6 6 4 2 q (nc) g V GS (v)

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