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1997 六月 18 5
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式
mos 晶体管
PHP109
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0; i
D
=
−
10
µ
一个
−
30
−−
V
V
GSth
门-源 门槛 电压 V
GS
=V
DS
; i
D
=
−
1mA
−
1
−−
2.8 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
GS
= 0; v
DS
=
−
24 V
−−−
100 nA
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
=0
−−±
100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
=
−
4.5 v; i
D
=
−
1.25 一个
−−
0.15
Ω
V
GS
=
−
10 v; i
D
=
−
2.5 一个
−−
0.09
Ω
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0; v
DS
=
−
24 v; f = 1 MHz
−
825
−
pF
C
oss
输出 电容 V
GS
= 0; v
DS
=
−
24 v; f = 1 MHz
−
350
−
pF
C
rss
反转 转移 电容 V
GS
= 0; v
DS
=
−
24 v; f = 1 MHz
−
150
−
pF
Q
G
总的 门 承担 V
GS
=
−
10 v; v
DD
=
−
15 v;
I
D
=
−
2.5 一个
−
30 40 nC
Q
GS
门-源 承担 V
GS
=
−
10 v; v
DD
=
−
15 v;
I
D
=
−
2.5 一个
−
3
−
nC
Q
GD
门-流 承担 V
GS
=
−
10 v; v
DD
=
−
15 v;
I
D
=
−
2.5 一个
−
12
−
nC
切换 时间
(看 图.11)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
GS
=0to
−
10 v; v
DD
=
−
15 v;
I
D
=
−
1 一个; r
L
=15
Ω
; r
gen
=6
Ω
−
7
−
ns
t
f
下降 时间
−
10
−
ns
t
在
转变-在 切换 时间
−
17 35 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 V
GS
=
−
10 至 0 v; v
DD
=
−
15 v;
I
D
=
−
1 一个; r
L
=15
Ω
; r
gen
=6
Ω
−
60
−
ns
t
r
上升 时间
−
40
−
ns
t
止
转变-止 切换 时间
−
100 200 ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 向前 电压 V
GD
= 0; i
S
=
−
1.25 一个
−−−
1.3 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
=
−
1.25 一个; di/dt = 100 一个/
µ
s
−
70
−
ns

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1997 六月 18 5 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 mos 晶体管 PHP109 特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V (br)dss 流-源损坏电压 V GS = 0; i D = − 10 µ 一个 − 30 −− V V GSth 门-源门槛电压 V GS =V DS ; i D = − 1mA − 1 −− 2.8 V I DSS 流-源泄漏电流 V GS = 0; v DS = − 24 V −−− 100 nA I GSS 门泄漏电流 V GS = ± 20 v; v DS =0 −−± 100 nA R DSon 流-源在-状态阻抗 V GS = − 4.5 v; i D = − 1.25 一个 −− 0.15 Ω V GS = − 10 v; i D = − 2.5 一个 −− 0.09 Ω C iss 输入电容 V GS = 0; v DS = − 24 v; f = 1 MHz − 825 − pF C oss 输出电容 V GS = 0; v DS = − 24 v; f = 1 MHz − 350 − pF C rss 反转转移电容 V GS = 0; v DS = − 24 v; f = 1 MHz − 150 − pF Q G 总的门承担 V GS = − 10 v; v DD = − 15 v; I D = − 2.5 一个 − 30 40 nC Q GS 门-源承担 V GS = − 10 v; v DD = − 15 v; I D = − 2.5 一个 − 3 − nC Q GD 门-流承担 V GS = − 10 v; v DD = − 15 v; I D = − 2.5 一个 − 12 − nC 切换时间 (看图.11) t d(在) 转变-在延迟时间 V GS =0to − 10 v; v DD = − 15 v; I D = − 1 一个; r L =15 Ω ; r gen =6 Ω − 7 − ns t f 下降时间 − 10 − ns t 在转变-在切换时间 − 17 35 ns t d(止) 转变-止延迟时间 V GS = − 10 至 0 v; v DD = − 15 v; I D = − 1 一个; r L =15 Ω ; r gen =6 Ω − 60 − ns t r 上升时间 − 40 − ns t 止转变-止切换时间 − 100 200 ns 源-流二极管 V SD 源-流向前电压 V GD = 0; i S = − 1.25 一个 −−− 1.3 V t rr 反转恢复时间 I S = − 1.25 一个; di/dt = 100 一个/ µ s − 70 − ns

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